简述气相反应法生产碳化硅晶须

气相反应法合成碳化硅晶须中，化学气相沉积（CVD法）技术应用最为普遍，可合成高纯度的碳化硅晶须，可以通过以下具体途径来实现：①利用有机硅化合物，如Si（CH3）Cl、CH3SiCl3等在1100～1500℃温度范围内的热分解或氢还原，即可得到碳化硅晶须；②SiCl4等卤化物和CCl4或烃类在1200～1500℃的范围内的氢还原反应，也可制得碳化硅晶须。

上述方法以有机硅为原料，可以选择性地生长晶须，但原料价格高，且在反应条件不同时由于有机硅化合物的热分解而使生成的微晶硅碳化，或生成有机硅化合物的聚合物粒子，并且热分解生成碳化硅微小颗粒副产物。